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NTGD4161P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
350
T J = 25 ° C
10
Q T
10
300
V GS = 0 V
8
8
250
200
C ISS
6
V GS
6
150
4
Q GS
Q GD
4
100
50
0
C RSS
C OSS
2
0
V DS
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
0.8
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
100
0.7
0.6
V GS = 0 V
10
V GS = ?10 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
0.5
0.4
0.3
0.2
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1
0.1
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T J = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0
T J = ?40 ° C
0.01
Package Limit
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
1.0
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.001
Single Pulse
1E?06
1E?05
1E?04
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, time (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
4
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